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  • 工業超純水設備
  • 2017.03.25 回上一頁 臉書分享文章

積體電路(IC)是以光學方式把回路印刷到矽晶片上。晶片上的元件或連接元件間的配線線徑極微細,只有1~2um或更小。
其間若有微粒或微生物附著,易使回路短路。
製程中需使用大量高純度的純淨水洗淨,以保有高的良率,以製造1M bit的DRAM產品其水質技術要求如下:

1Mbit DRAM產品的超純水要求規範

項目
可達到的
可接受的
項目
可達到的
可接受的
電阻,25
18.2
18.0
  Br-
<0.1
0.1
TOC, ×10-9
<10
<30
  NO3-
<0.1
0.1
粒子數/L
 
 
  SO24-
<0.05
0.2
SEM
 
 
  總離子
<0.5
<0.7
0.2~0.3μm
 
<2000
殘留物,mg/L
<0.1
0.1
0.3~0.5μm
<200
<200
金屬,μg/L 
 
 
0.5μm
<1
<1
  Li
<0.03
0.05
粒子數/L
 
 
  Mg
<0.02
0.05
激光法
 
 
  Ca
2
<2.0
0.5μm
 
<100
  Sr
<0.01
0.05
細菌數/100mL
 
 
  Ba
<0.01
0.05
培養法
0
<6
  B
<0.05
2.0
SEM
<1
<10
  Al
<0.05
0.05
EPI
<5
<50
  Cr
<0.02
0.05
溶解的SiO2,μg/L
<0.4
<4
  Mn
<0.02
0.05
,μg/L
<0.05
2.0
  Fe
<0.02
0.1
離子,μg/L
 
 
  Ni
<0.02
0.05
Na+
<0.05
0.1
  Cu
<0.02
0.05
K+
<0.1
0.1
  Zn
<0.02
0.05
Cl-
<0.05
0.1
  Pb
<0.02
0.05

為生產出符合要求的超純水,各國均發展出不同方式之設備,此謹以RO逆滲透為主軸之處理流程供參考。超純水系統流程:

1.進水泵浦(交替運轉) 10.254nm紫外線殺菌器
2.活性碳過濾器 11.陽離子床
3.軟化過濾器 12.陰離子床
4.精密過濾器 13.0.45電子級濾芯
5.抑垢劑用泵 14.185nm紫外線殺菌器
6.高壓增壓泵 15.增壓輸送泵
7.RO單元 16.精鍊混合床
8.貯存槽 17.254nm紫外線殺菌器
9.純水輸送泵 18.0.2um電子級濾芯
註:上列流程謹供參考

 

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