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2017.03.25 
積體電路(IC)是以光學方式把回路印刷到矽晶片上。晶片上的元件或連接元件間的配線線徑極微細，只有1～2um或更小。
其間若有微粒或微生物附著，易使回路短路。
製程中需使用大量高純度的純淨水洗淨，以保有高的良率，以製造1M bit的DRAM產品其水質技術要求如下：
1Mbit DRAM產品的超純水要求規範
| 項目 |
可達到的
|
可接受的
|
項目
|
可達到的
|
可接受的
|
|
電阻,25℃
|
18.2
|
18.0
|
Br-
|
<0.1
|
0.1
|
|
TOC, ×10-9
|
<10
|
<30
|
NO3-
|
<0.1
|
0.1
|
|
粒子數／L
|
|
|
SO24-
|
<0.05
|
0.2
|
|
SEM法
|
|
|
總離子
|
<0.5
|
<0.7
|
|
0.2~0.3μm
|
|
<2000
|
殘留物,mg／L
|
<0.1
|
0.1
|
|
0.3~0.5μm
|
<200
|
<200
|
金屬,μg/L
|
|
|
|
＞0.5μm
|
<1
|
<1
|
Li
|
<0.03
|
0.05
|
|
粒子數／L
|
|
|
Mg
|
<0.02
|
0.05
|
|
激光法
|
|
|
Ca
|
2
|
<2.0
|
|
＞0.5μm
|
|
<100
|
Sr
|
<0.01
|
0.05
|
|
細菌數／100mL
|
|
|
Ba
|
<0.01
|
0.05
|
|
培養法
|
0
|
<6
|
B
|
<0.05
|
2.0
|
|
SEM法
|
<1
|
<10
|
Al
|
<0.05
|
0.05
|
|
EPI法
|
<5
|
<50
|
Cr
|
<0.02
|
0.05
|
|
溶解的SiO2,μg/L
|
<0.4
|
<4
|
Mn
|
<0.02
|
0.05
|
|
硼,μg/L
|
<0.05
|
2.0
|
Fe
|
<0.02
|
0.1
|
|
離子,μg/L
|
|
|
Ni
|
<0.02
|
0.05
|
|
Na+
|
<0.05
|
0.1
|
Cu
|
<0.02
|
0.05
|
|
K+
|
<0.1
|
0.1
|
Zn
|
<0.02
|
0.05
|
|
Cl-
|
<0.05
|
0.1
|
Pb
|
<0.02
|
0.05
|
為生產出符合要求的超純水，各國均發展出不同方式之設備，此謹以RO逆滲透為主軸之處理流程供參考。超純水系統流程：
| 1.進水泵浦(交替運轉) | 10.254nm紫外線殺菌器 |
| 2.活性碳過濾器 | 11.陽離子床 |
| 3.軟化過濾器 | 12.陰離子床 |
| 4.精密過濾器 | 13.0.45電子級濾芯 |
| 5.抑垢劑用泵 | 14.185nm紫外線殺菌器 |
| 6.高壓增壓泵 | 15.增壓輸送泵 |
| 7.RO單元 | 16.精鍊混合床 |
| 8.貯存槽 | 17.254nm紫外線殺菌器 |
| 9.純水輸送泵 | 18.0.2um電子級濾芯 |
| 註：上列流程謹供參考 | |
